Investigación

Se tiene interés en componentes electrónicos (transistores, diodos, resistencias y capacitores) transparentes y flexibles, utilizando películas delgadas de óxidos semiconductores transparentes como capas activas. Parte del esfuerzo se ha enfocado en la obtención de películas delgadas semiconductoras tipo p y tipo n, las cuales pueden obtenerse mediante técnicas de deposición como el baño químico en solución, la ablación láser y la erosión iónica. Inicialmente se trabajó en la obtención de películas delgadas semiconductoras tipo p de monóxido de estaño (SnO), logrando fabricar una homounión de dicho material que presentó las características rectificadoras típicas de un diodo. Actualmente se están fabricando homouniones de películas delgadas de óxido de zinc utilizando la técnica de ablación láser.

Esta línea de trabajo se desarrolla en colaboración con el grupo LINOC (Laboratorio de Interacciones No Lineales y Óptica Cuántica), ubicado en el CICESE (Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada) y asociado al Laboratorio Nacional de Materia Cuántica: Materia Ultrafría e Información Cuántica (LANMAC). En este proyecto se ha desarrollado una metodología completa que permite la fabricación de guías de onda tipo cresta. En un futuro cercano, esta metodología se utilizará para fabricar circuitos fotónicos que tendrán aplicaciones en tecnologías cuánticas, como la comunicación y la computación cuántica.

La plataforma propuesta en este proyecto se basa en guías de onda de nitruro de silicio (Si3N4) sobre dióxido de silicio (SiO2), en un sustrato de silicio (Si).